COOLMOS在电源上的应用已经初具规模，做为电源工程师，在电源开发的过程中选用COOLMOS应该注意什么呢？ COOLMOS与VDMOS的结构差异 为了克服传统MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾，一些人在VDMOS基础上提出了一种新型的理想器件结构，称为超结器件或COOLMOS，COOLMOS的结构如图2所示，其由一些列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时，由于P型和N型层中的耗尽区电......

2012年3月26日，测试应用中心引进国内首台最高可测试2500伏IGBT、MOSFET、二极管、功率三极管等动态参数的尖端测试设备—ITC57300动态参数测试仪，进一步完善了测试应用中心实验室的测试能力。该设备由美国ITC公司设计生产，是一款高集成度功率半导体分立器件动态参数测试仪，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，最高测试电流可以达到400A，实现不同类型、同类型不同封装、同类型同......

精确地测量电源纹波本身就是一门艺术。在图6.1所示的示例中，一名初级工程师完全错误地使用了一台示波器。他的第一个错误是使用了一支带长接地引线的示波器探针；第二个错误则是将探针形成的环路和接地引线均置于电源变压器和开关元件附近；最后一个错误是允许示波器探针和输出电容之间存在多余电感。该问题在纹波波形中表现为高频拾取。在电源中，存在大量可以很轻松地与探针耦合的高速、大信号电压和电流波形，其中包括耦合自......

高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开关电路中的应力，能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相关元素之外，并会探讨更高电流密度与更快开关速度及的意义，提供使用更先进的MOSFE......

随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOS......