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西安芯派电子科技有限公司-测试能力
测试能力 Testing capability
  • 可靠性测试室
  • 元器件测试室
  • 应用系统测试室
  • 失效分析测试室
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
功率循环试验(PC) IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流最大1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件 温度最高150℃; 电压最高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温门极试验(HTGB) MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度最高150℃; 电压最高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度最高150℃ 电压最高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验(LTOL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度最低-80℃ 电压最高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温储存试验(HTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最高150℃; 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
低温储存试验(LTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最低-80℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温高湿试验(THB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最高180℃ 湿度范围:10%~98% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高低温循环试验(TC) MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围:-80℃~220℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V,10A 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
稳态功率试验(SSOL) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V,10A 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高加速应力试验(HAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
*无偏压的高加速应力试验(UHAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
高温蒸煮试验(PCT) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度100% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
预处理试验(Pre-con) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
潮气敏感度等级试验(MSL) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
*可焊性试验(Solderability) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
直流参数 MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品; 检测最大电压:7500V 检测最大电流:6000A 国标,IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:2500V 检测最大电流:200A 美军标
栅极电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件; 检测最大电压:1200V 检测最大电流:200A 美军标,国标,IEC等
开关时间 IGBT等模块产品 检测最大电压:2700V 检测最大电流:4000A 国标,IEC
反向恢复 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:1200V 检测最大电流:200A 美军标,国标,IEC等
反向恢复 IGBT等模块产品 检测最大电压:2700V 检测最大电流:4000A 国标,IEC
栅极电荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:1200V 检测最大电流:200A 美军标,国标,IEC等
栅极电荷 IGBT等模块产品 检测最大电压:2700V 检测最大电流:4000A 国标,IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:1200V 检测最大电流:1000A 美军标,国标,IEC等
短路耐量能力 IGBT等模块产品 检测最大电压:2700V 检测最大电流:10000A 国标,IEC
结电容 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测最大电压:3000V IEC
参数曲线扫描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 检测最大电压:3000V 检测最大电流:1500A 温度:-70°C~180°C 美军标,IEC等
热阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管产品 最大功率:250W 美军标,JEDEC
热阻性能 IGBT等模块产品 最大功率:4000W 美军标,JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等产品 HBM最大电压:8000V;MM最大电压:800V 美军标,ANSI,JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流桥 检测最大电流:800A 美军标,国标
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
电气参数 开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板。 低压AC/DC电源:单相最大输入电压/功率为300V/3KVA;最大输出电压/功率:80V/1000W; 低压DC/DC电源:最大输入电压/功率为80V/1.2KW;最大输出电压/功率:80V/1000W; 直流充电桩电源模块:三相最大输入电压/功率为500V/30KVA;最大输出电压/功率:700V/30KW; 电机控制板:直流输入电压/功率100V/5KW 国标,IEC,客户要求等
*保护功能测试 开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板。 低压AC/DC电源:单相最大输入电压/功率为300V/3KVA;最大输出电压/功率:80V/1000W; 低压DC/DC电源:最大输入电压/功率为80V/1.2KW;最大输出电压/功率:80V/1000W; 直流充电桩电源模块:三相最大输入电压/功率为500V/30KVA;最大输出电压/功率:700V/30KW; 电机控制板:直流输入电压/功率100V/5KW 国标,IEC,客户要求等
*元器件应力测试 开关电源(例如低压AC/DC电源,低压DC/DC电源,直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。 最大峰值电压:1.5KV; 最大有效值/峰值电流:30A/50A; 最高温度:260°C 元器件规格,客户要求等
电气/抗电强度测试 电子电气产品 交流耐压范围:(0~5)KV/40mA; 直流耐压范围:(0~6)KV/9999uA 国标,IEC,客户要求等
绝缘电阻测试 电子电气产品 (100~1K)Vdc/9999MΩ 国标,IEC,客户要求等
接地电阻测试 电子电气产品 30A/600mΩ 国标,IEC,客户要求等
*低温测试 电子电气产品 最低温度:-70℃ 国标,IEC,客户要求等
*高温测试 电子电气产品 最高温度:~180℃ 国标,IEC,客户要求等
*高加速寿命/应力测试 电子电气产品 温度范围:(-100 ~ +200)°C; 温度上升速率:平均(70°~100°)C/m; 加速: (5 – 60)gRMS (空台) 国标,IEC,客户要求等
*静电放电抗扰度测试 电子电气产品 接触静电放电电压范围:(±2~±8)KV 空气静电放电电压范围:(±2~±25)KV 国标,IEC,客户要求等
雷击浪涌抗扰度测试 电子电气产品 1.2/50us综合波的开路电压范围:(0.25~10)KV; 10/700us通讯波的开路电压范围:(0~6)KV; 输出阻抗:1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω 国标,IEC,客户要求等
电源端子骚扰电压/传导测试 电子电气产品 9KHz~30MHz 国标,IEC,客户要求等
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
*开短路检测 IC 满足128pin及以下引脚IC的open/short测试、曲线跟踪分析、漏电流测试;最大电压7V,电压精度1mV;最大电流500mA,电流精度10nA; 客户要求
*漏电检测 IC,分立器件,模块等产品 具有EMMI(微光)和TIVA(激光诱导)两种侦测方式;加电方式A:电压20mV-200V,电流10nA-1A,电流精度10fA;加电方式B:最大电压3000V,最大电流5A。 客户要求
*产品外观或形貌确认 IC,分立器件,模块等产品 立体成像:最大45倍; 金相成像:最大1000倍;数码成像:最大6000倍; 客户要求
*尺寸测量 IC,分立器件,模块等产品 立体成像:最大45倍; 金相成像:最大1000倍;数码成像:最大6000倍; 客户要求
超声波检测(SAT) IC,分立器件,模块等产品 具有分层面积百分比计算,缺陷尺寸标识,厚度与距离测量等功能。可进行A-scan(点扫描)、B-scan(纵向扫描)、C-scan(横向扫描)、Through-scan(透射扫描)。 国军标
X-ray检测 IC,分立器件,模块等产品 最高分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算,缺陷尺寸标识,厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。 国军标
推拉力检测 IC,分立器件,模块等产品 支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头,测试范围0-2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头,测试范围0-100Kg,推刀接受面宽0-8891um。 国军标
*有害物质检测 IC,分立器件,模块等产品 支持铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、六价铬(Cr6+)、多溴联苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低检测限可达2ppm。 IEC
*样品开封 IC,分立器件,模块等产品 激光开封、化学开封、样品剥层。 客户要求
*剖面分析 IC,分立器件,模块等产品 金相样品制备、样品观察、样品染色。 客户要求