IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是能源变换与传输的核心半导体器件，属于国家战略性新兴产业，因其同时具有MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率和GTR的低导通压降的优点，被广泛应用于直流电压600V及以上的大功率电力电子系统中，如变频器、开关电源、照明系统、轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车以及新能源装备等领域。

IGBT驱动模块作为IGBT稳定工作的核心驱动管理器件，在整个系统工作中有极其重要的意义，目前国际上比较著名的IGBT驱动模块企业有Mitsubishi、CONCEPT（PI）等企业，近日西安宽禁带半导体应用研究中心成功研发了混合集成型大功率IGBT驱动模块SW57962，可完美兼容Mitsubishi的M57962，满足600V、1200V、1700V等大功率单管IGBT驱动需求，最大可驱动600A的IGBT单管。 

SW57962内部采用高隔离电压、高共模抑制比的光电隔离器，耐压可达3750V。同时SW57962兼容TTL电平和CMOS信号两种输入，最高工作频率为40KHz，同时具备过流保护、故障输出、盲区可调、过流软关断、固定周期复位等完善的保护功能。

SW57962的尺寸为50mm*25mm，采用SIP的管脚封装形式，共有脚位14个，其中11，12管脚为空置状态，各PIN脚之间的距离为2.54mm，各PIN脚功能定义如下：

从SW57962的内部原理功能框图可以看出SW57962主要功能块由四部分组成，分别是光耦隔离电路、过流检测电路、门极关断电路、延迟复位电路等单元组成。光耦隔离电路主要用于驱动信号的电气隔离及信号传输的作用；过流检测电路用于IGBT过流信号的检测，具体阈值可进行外部调节；门级关断电路主要作用为异常条件下对IGBT驱动进行关断，同时将该异常信号输出反馈至控制级；延迟复位电路主要用于故障信号去除后进行延迟复位，使得驱动信号恢复正常，达到软开启的效果。

下图为SW57962的典型应用图，其中U1为故障信号传输隔离光耦，Vin为驱动信号输入端口。在实际使用中可根据实际需求调整外部参数及电路，从而达到与系统最优的匹配效果。

SW57962作为“西安宽禁带半导体应用研究中心”研发的第一款外置驱动电源的IGBT驱动器产品，其保护功能完善、可靠性高、驱动能力强，可完全兼容三菱的M57962，客户可直接更换进行验证使用。西安宽禁带半导体应用研究中心还有多款IGBT驱动器及IGBT模组驱动器产品正在研发中，后期可提供外置电源的大功率IGBT驱动器、内置电源的大功率IGBT驱动器、IGBT模组驱动器等系列化的IGBT驱动器产品，满足客户各种使用场景的需求。