20年专业经验 前沿技术研发新产品
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自1986年起长期从事电子科学与技术领域的教学与研究工作,侧重于电力电子器件及其应用的基础研究和新技术开发。近年来,以宽禁带半导体SiC电力电子器件的创新结构设计和制造为主要方向,自主研发的SiC肖特基势垒二极管,代工流片已实现了650V/50A和1200V/30A两种产品的试制;SiC-GTO、SiC光控晶闸管的设计和试制等。与企业合作开展了Si-IGBT与SiC-SBD的混合模块和全SiC功率MOS与SBD模块及其驱动电路的研发工作。
研究方向:
1. 新型半导体材料与器件
2.SiC材料、SiC电力电子器件及其模块的设计制造。