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MOSFET参数系统解读

时间：2020/6/8 21:46:01浏览次数：8486

器件规格书的几页英文数据看得眼花缭乱了吧，今天小编给大家逐条详细解读MOSFET参数，老板再也不会担心我选器件的能力了，yeah！

Absolute maximum ratings

标识	参数	中文描述	应用系统关联参数解读
VDSS	Drain to Source Voltage	漏源电压标称值	参考BVDSS
ID	Continuous Drain Current (@TC=25°C)	漏源标称电流	漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在过载和电流保护的测试过程中会引起电流击穿的风险。
ID	Continuous Drain Current (@TC=100°C)	漏源标称电流	漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在过载和电流保护的测试过程中会引起电流击穿的风险。
IDM	Drain current pulsed	漏源最大单脉冲电流	反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做过载和电流保护测试时，有电流击穿的风险。
VGS	Gate to Source Voltage	栅漏电压	栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下，必须保证其接入的电压必须在规格范围内。MOSFET的栅极也是MOSFET最薄弱的地方。
EAS	Single pulsed Avalanche Energy	单脉冲雪崩能量	MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在雷击浪涌、过载保护和耐压等测试项目时有失效的风险。
EAR	Repetitive Avalanche Energy	重复雪崩能量	MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在雷击浪涌、过载保护和耐压等测试项目时有失效的风险。
dv/dt	Peak diode Recovery dv/dt	漏源寄生二极管恢复电压上升速率	（1）dv/dt反应的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。
dv/dt	Peak diode Recovery dv/dt	漏源寄生二极管恢复电压上升速率	（2）对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。
PD	Total power dissipation (@TC=25°C)	最大耗散功率	该值越大越好，由于该值的测试是模拟理想环境，所以测试出来值跟实际应用比起来差异特别大，参考意义比较有限。
PD	Derating Factor above 25°C	最大耗散功率	该值越大越好，由于该值的测试是模拟理想环境，所以测试出来值跟实际应用比起来差异特别大，参考意义比较有限。
TSTG, TJ	Operating Junction Temperature & Storage Temperature	结温及贮存温度	该参数表明MOSFET的温度承受能力，越大越好
TL	Maximum Lead Temperature for soldering	最大引线焊接温度	该参数是针对插件类产品来说，该参数值越大，焊接时温度承受能力越好。
TL	purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.	最大引线焊接温度	该参数是针对插件类产品来说，该参数值越大，焊接时温度承受能力越好。

Thermal characteristics

标识	参数	中文描述	应用系统关联参数解读
Rthjc	Thermal resistance, Junction to case	芯片到封装的热阻抗	该系列参数均表明在发热相同条件下器件散热能力的强弱，热阻越小散热能力越好。
Rthcs	Thermal resistance, Case to Sink	封装到散热片的热阻抗
Rthja	Thermal resistance, Junction to ambient	芯片到空气的热阻抗

标识	参数	中文描述	应用系统关联参数解读
IS	Continuous source current	最大连续续流电流	漏源间可承受的最大持续电流，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中在测试过载和电流保护的过程中会引起电流击穿的风险。
ISM	Pulsed source current	最大单脉冲续流电流	反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做过载和电流保护测试时，有电流击穿的风险。
VSD	Diode forward voltage drop.	二极管源漏电压	该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。
Trr	Reverse recovery time	反向恢复时间	该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。同时也加重了电路直通的风险。
Qrr	Reverse recovery Charge	反向恢复充电电量	该参数与充电时间成正比，一般越小越好。

Electrical characteristic

( TC = 25°C unless otherwise specified )

标识	参数	中文描述	应用系统关联参数解读
Off characteristics
BVDSS	Drain to source breakdown voltage	漏源击穿电压	漏源极最大承受电压，该参数为正温度系数。如果BVDSS过小，应用到余量不足的系统板中会引起MOSFET过压失效。
ΔBVDSS/ ΔTJ	Breakdown voltage temperature coefficient	漏源击穿电压的温度系数	正温度系数，反应的是BVDSS温度稳定性，其值越小，表明稳定性越好。
IDSS	Drain to source leakage current	漏源漏电流	正温度系数，IDSS越大，MOSFET关断时的静态损耗越大，会导致温升恶化。
IGSS	Gate to source leakage current, forward	栅极驱动漏电流	栅极漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。
IGSS	Gate to source leakage current, reverse	栅极驱动漏电流	栅极漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。
On characteristics
VGS(TH)	Gate threshold voltage	开启电压	（1）在相同ID和跨导条件下，VGS(TH)越高，MOSFET米勒平台也就越高。
VGS(TH)	Gate threshold voltage	开启电压	（2）其直接反应MOSFET的开启电压，MOSFET实际工作时栅极驱动电压必须大于平台电压，如果栅极驱动电压长期工作在平台附近，会导致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而器件产生相应的热失效现象。
RDS(ON)	Drain to source on state resistance	导通电阻	同一规格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接决定MOSFET的导通损耗，RDS(ON)决越大，损耗越大，MOSFET温升也越高。在较大功率电源中，RDS(ON)损耗占MOSFET整个损耗中较大比例。
RDS(ON)	Drain to source on state resistance	导通电阻	RDS(ON)的变化会引起客户系统板过流保护点的变化。
Gfs	Forward Transconductance	正向跨导	其反应的是栅电压对漏源电流控制的能力，Gfs过小会导致MOSFET关断速度降低，关断能力减弱，Gfs过大，会导致关断过快，EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。
Dynamic characteristics
Ciss	Input capacitance	输入电容=Cgs+Cgd	该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因。但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性。
Coss	Output capacitance	输入电容=Cds+Cgd	这两项参数对MOSFET开关时间有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。
Crss	Reverse transfer capacitance	反向传输电容=Cgd (米勒电容)
td(on)	Turn on delay time	漏源导通延迟时间	这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。
tr	Rising time	漏源电流上升时间
td(off)	Turn off delay time	漏源关断延迟时间
tf	Fall time	漏源电流下降时间
Qg	Total gate charge	栅极总充电电量
Qgs	Gate-source charge	栅源充电电量
Qgd	Gate-drain charge	栅漏充电电量

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