芯派科技股份有限公司-行业资讯-三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

欢迎访问芯派科技股份有限公司官方网站！

联系方式|样品申请|测试咨询|English

一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业

20年专业经验 前沿技术研发新产品

芯派科技咨询热线：

+86-13510282288 +86-13510292288

当前位置：首页 > 新闻中心 > 行业动态

芯派新闻中心

芯派科技

微信公众号

新闻中心

三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

时间：2019/10/22 13:44:51浏览次数：1900

7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。

据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生产效率和成本竞争力。

三星电子表示，新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50纳米产品更高的市场评价。同时为了进一步扩展DDR3内存的市场，三星电子今后将针对区域服务器（16G或8G内存）、小型服务器及个人台式机（4G内存）、笔记本电脑（4G内存）等提供更高效的内存产品。

半导体市场调查机构I supply提供的数据表明DDR3产品将从目前占整体Dram市场的20%增长到2012年的82%。2G DDR3产品将从目前占整体DDR3市场的5%发展到2012年82%。而作为以生产Dram产品著称的全球第二大半导体厂商，三星电子正是依靠在业内不断率先开发新一代更高容量和性能的Dram产品，确保了其在内存市场的主导地位。

上一篇：两大利好，促电子元器件快速增长

下一篇：英特尔大连芯片厂将于明年正式投产

Semipower Technology Co.,Ltd.

先进功率器件及系统方案提供商

扫码关注芯派微信

芯派科技股份有限公司

地址：陕西省西安市高新区天谷八路环普科技产业园E101

总机：029-88251977　　传真：029-88253717

芯派科技股份有限公司地址：陕西省西安市高新区天谷八路环普科技产业园E101 总机：029-88251977 传真：029-88253717